IGBT全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，中文称呼绝缘栅双极晶体管。
你说他们固执也好，固执也罢，或者脑筋有坑也行，一群日本工程师竟然生生地搞出了1200V级别的IGBT,这东西等因而抢先现在产品两代，如果冲破出产桎梏后，综合机能上风会非常可骇。
另有因为是刚出尝试室，以是也确切存在很多细节上的小弊端，比如为了寻求散热效力导致外壳过于庞大，开模加工不便等等。
从各方面看和KUH的产品不相伯仲，独一的缺点是，只要一两台样机，以是没法做更多的尝试，也就不晓得这东西是否存在暗伤。
目前国际市场上欧洲和日本对IGBT情有独钟，大量利用，同时仍然在投入重金停止研发。
主如果对于电机体系他仍然不敷熟谙，很多技术细节还要魏余聪帮着拿捏。
第一代半导体就是熟知的硅和锗，美国人用前者制作芯片乃至计算机CPU，俄国人则用后者，二者的好坏先不去说，总之，这是人类半导体技术的发源，直到现在硅还在兢兢业业地阐扬首要感化。
这也不奇特IGBT本来就是连络二者的产品，BJT的通导电阻小，但驱动电流大，MOSFET恰好相反，电阻大，电流小。
诚恳讲，魏余聪对于也不甚了然。毕竟他不是电机专业出来的。
简朴地说，这玩意就是节制器的核心。
但是更让苏权心动的处所是，别看华东电机研讨院的名誉和KUH没法比，但在RA2上面揭示出来的诚意和巧思却让人尊敬到无以复加。